王　曦

来源: 南通市档案局 发布时间：2009-12-23 字体：[ 大 中 小 ]

　　王曦，42岁，出生于上海，籍贯江苏南通。1983年毕业于南通中学后考入清华大学工程物理系，1993年在中国科学院上海冶金研究所获博士学位。1998年以“洪堡学者”身份回国，现任中科院上海微系统与信息技术研究所党委书记兼常务副所长，上海新傲科技有限公司董事长。

　　在2009年新入选的中科院院士名单中，刚过不惑之年的王曦，以“一次性评选过关”成为“本届最年轻的院士”。

　　没有人知道这位年轻的新院士背后的忙碌——他是中科院上海微系统与信息技术研究所党委书记、常务副所长；他还是上海新傲科技有限公司董事长。几年前还喜欢周末开车为家人买回一堆东西的他，而今“已不知道去超市的路”。

　　很多人眼中，科学家和企业家之间似乎不搭界，而王曦却能在二者之间游弋自如。

　　在王曦看来，这是必须为之奋斗的事，“实验室里的成功，和一项技术的圆满完成之间不能画等号。真正的高科技项目要实现产业化，没有科学家参与是不行的。”

　　1998年，作为“洪堡学者”的王曦，结束了在欧洲最大的离子束材料研究基地的工作回国，接过了中国科学院离子束重点实验室的工作。

　　当时，一种名叫绝缘体上硅（Silicon-on-insulator，SOI）的新技术被IBM公司商业化，广泛用于超速计算机服务器中。这一在国际上被公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”，在国内却因遭遇技术封锁鲜为人知。

　　王曦所在的上海冶金研究所（上海微系统与信息技术研究所前身）早在20世纪80年代初就已经开始SOI技术研究，而且基础研究水平处于世界先进地位，但是研究主要针对特殊应用领域，研究成果也一直处于论文和实验室阶段。

　　“为什么不利用自己的优势开发产品，把这个在研究所里埋藏20多年的宝贝推向市场呢？”

　　2002年4月底，王曦和他的团队仅用5个多月，就在上海新傲科技有限公司建成国内第一条具有国际先进水平的SOI生产线。两个月后，第一批SOI圆片材料问世。

　　在“863”、“973”等计划支持下，王曦运用他专长的“离子注入技术”，在关键技术上取得一系列重大创新，申请国家发明专利32项，并已获授权16项。

　　凭借这一成果，王曦带领团队一举获得2006年度国家科技进步奖一等奖。